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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS62WV5128BLL-55HLI
No. Parte Newark32T7411
Hoja de datos técnicos
58 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.250 |
| 10+ | $3.970 |
| 25+ | $3.850 |
| 50+ | $3.770 |
| 100+ | $3.660 |
| 468+ | $3.570 |
| 702+ | $3.480 |
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS62WV5128BLL-55HLI
No. Parte Newark32T7411
Hoja de datos técnicos
Tipo de SRAMAsynchronous SRAM
Tamaño de la Memoria0
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria4Mbit
Tensión de Alimentación, Rango0
Configuración de Memoria512K x 8bit
Estuche / Paquete CITSOP-I
Memoria, Tipo0
No. de Pines32Pines
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Mín.2.5V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3.3V
Frecuencia Max de Reloj-
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 5 - 48 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Asynchronous SRAM
Configuración Memoria SRAM
0
Tensión de Alimentación, Rango
0
Estuche / Paquete CI
TSOP-I
No. de Pines
32Pines
Tensión de Alimentación Mín.
2.5V
Tensión de Alimentación Nom.
3.3V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 5 - 48 hours
Tamaño de la Memoria
0
Densidad de Memoria
4Mbit
Configuración de Memoria
512K x 8bit
Memoria, Tipo
0
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Frecuencia Max de Reloj
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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