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IS66WVH16M8DBLL-166B1LI
PSEUDO SRAM, 128MBIT, TFBGA-24
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FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS66WVH16M8DBLL-166B1LICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark46AM3019
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Información del producto
FabricanteINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
No. Parte FabricanteIS66WVH16M8DBLL-166B1LICopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark46AM3019
Tipo de SRAMPseudo SRAM
Densidad de Memoria128Mbit
Configuración de Memoria16M x 8bit
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines24Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nom.3V
Frecuencia Max de Reloj166MHz
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de SRAM
Pseudo SRAM
Configuración de Memoria
16M x 8bit
No. de Pines
24Pines
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Frecuencia Max de Reloj
166MHz
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Densidad de Memoria
128Mbit
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nom.
3V
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991B2A
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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