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IXTH10P60
MOSFET, CANAL P, 600V, 10A, TO-247
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
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No. Parte Newark71AH4572
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $17.880 |
| 10+ | $16.130 |
| 25+ | $14.610 |
| 50+ | $13.700 |
| 100+ | $12.790 |
| 250+ | $10.660 |
| 500+ | $10.350 |
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTH10P60Copiar
No. Parte Newark71AH4572
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Alternativas para el número de pieza IXTH10P60
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
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