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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTP34N65X2
No. Parte Newark71AH4584
Rango de ProductoX2-Class
Hoja de datos técnicos
339 En Stock
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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $7.720 |
10+ | $4.930 |
25+ | $4.680 |
50+ | $4.460 |
100+ | $4.280 |
250+ | $4.070 |
500+ | $4.000 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$7.72
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Información del producto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteIXTP34N65X2
No. Parte Newark71AH4584
Rango de ProductoX2-Class
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id34A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.096ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia540W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoX2-Class
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.096ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
540W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
X2-Class
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
34A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (12-Jan-2017)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto