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IXTF02N450
MOSFET, 0.2A, 4.5KV, 78W, ISOPLUS I-4PAK
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FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTF02N450Copiar
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No. Parte Newark29AK0464
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $58.060 |
| 5+ | $55.250 |
| 10+ | $52.440 |
| 25+ | $47.140 |
| 50+ | $43.080 |
| 100+ | $42.140 |
| 250+ | $40.900 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
No. Parte FabricanteIXTF02N450Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark29AK0464
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds4.5kV
Intensidad Drenador Continua Id200mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente750ohm
Diseño de TransistorISOPLUS i4-PAK
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia78W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.-
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200mA
Diseño de Transistor
ISOPLUS i4-PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Disipación de Potencia
78W
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
4.5kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
750ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Alternativas para el número de pieza IXTF02N450
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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