DN2540N5-G

El DN2540N5-G es un transistor de modo de agotamiento de canal N de 400 V (normalmente encendido) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación produce un dispositivo con las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente en los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, el transistor está libre de desbordamiento térmico y de ruptura secundaria inducida térmicamente. El DMOS FET vertical es ideal para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se desea un alto voltaje de ruptura, una alta impedancia de entrada, una baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

• Alta impedancia de entrada
• Baja capacitancia de entrada
• Velocidades de conmutación rápidas
• Baja resistencia de ENCENDIDO
• Libre de desglose secundario
• Fuga baja de entrada y salida