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MSC045SMB120B4N
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 49 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-247
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteMSC045SMB120B4N
No. Parte Newark49AM1317
Rango de ProductomSiC Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $14.810 |
| 10+ | $14.230 |
| 25+ | $13.490 |
| 60+ | $12.280 |
| 120+ | $11.690 |
| 270+ | $11.410 |
| 510+ | $10.950 |
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteMSC045SMB120B4N
No. Parte Newark49AM1317
Rango de ProductomSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id49
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia237
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductomSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MSC045SMB120B4N is a 1200V, 45mohm silicon carbide (SiC) power MOSFET in a 4-lead TO-247 package. It delivers high efficiency with low switching and conduction losses, fast switching speed, and robust avalanche performance. Designed for high-power and high-temperature applications, it is ideal for use in EV chargers, solar inverters, motor drives, and industrial power supplies.
- Low on-resistance RDS(on) reduces conduction losses, improving efficiency and thermal performance
- Supports high-frequency operation for smaller magnetics, higher power density, and lower cost
- Superior avalanche ruggedness and short-circuit withstand time
- HV-H3TRB proven capability ensures long-term reliability in high humidity environments
- Lower VGS and standard package enables improved compatibility with standard gate drivers
- Increased creepage distance (notch) improves safety and reliability in high-voltage designs
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
49
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
237
Rango de Producto
mSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto