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MSC080SMA120S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 35 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-268 (D3PAK)
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteMSC080SMA120S
No. Parte Newark78AH6587
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id35A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0.08ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Diseño de TransistorTO-268 (D3PAK)
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia Pd182W
Disipación de Potencia182W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia
182W
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.08ohm
Diseño de Transistor
TO-268 (D3PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia Pd
182W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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