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MSC080SMA330B4N
SIC MOSFET, N-CH, 3.3KV, 43A, TO-247
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteMSC080SMA330B4NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante6 semanas
No. Parte Newark49AM1319
Rango de ProductomSiC Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $79.990 |
| 5+ | $78.350 |
| 10+ | $76.720 |
| 25+ | $75.080 |
| 50+ | $71.300 |
| 100+ | $67.520 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteMSC080SMA330B4NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante6 semanas
No. Parte Newark49AM1319
Rango de ProductomSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id43A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds3.3kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.106ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia439W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductomSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
43A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.106ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
3.3kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
439W
Rango de Producto
mSiC Series
Alternativas para el número de pieza MSC080SMA330B4N
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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