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SST39SF010A-70-4C-PHE
Memoria Flash, NOR Paralela, 1 Mbit, 128K x 8bit, Paralelo, DIP, 32 Pines
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteSST39SF010A-70-4C-PHE
No. Parte Newark92R4695
Rango de ProductoSerie 5V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.070 |
| 10+ | $3.010 |
| 33+ | $2.960 |
| 55+ | $2.910 |
| 110+ | $2.860 |
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteSST39SF010A-70-4C-PHE
No. Parte Newark92R4695
Rango de ProductoSerie 5V Parallel NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Paralela
Tamaño de la Memoria1Mbit
Densidad de Memoria1
Configuración Memoria Flash128K x 8bit
Configuración de Memoria128K x 8bit
InterfacesParalelo
Tipo de Interfaz ICParallel
Memoria, TipoDIP
Estuche / Paquete CIDIP
No. de Pines32Pines
Frecuencia Max de Reloj14
Frecuencia de Reloj14MHz
Tiempo de Acceso70
Tensión de Alimentación Mín.4.5
Tensión de Alimentación Máx.5.5
Tensión de Alimentación Nom.5
IC, MontajeThrough Hole
Temperatura de Trabajo Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.70
Rango de ProductoSerie 5V Parallel NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The SST39SF010A-70-4C-PHE is a CMOS Multi-purpose Flash (MPF) device manufactured with SST proprietary, high performance CMOS SuperFlash technology. The split-gate cell design and thick oxide tunneling injector attain better reliability and manufacturability compared with alternate approaches. The SST39SF010A writes (program or erase) with a 4.5 to 5.5V power supply and conforms to JEDEC standard pinouts for x8 memories.
- Organized as 128k x8/256k x8/512k x8
- Single 4.5 to 5.5V read and write operations
- Superior reliability
- Low power consumption
- Sector-erase capability - Uniform 4kB sectors
- Fast read access time - 55 to 70ns
- Latched address and data
- Automatic write timing - Internal VPP generation
- End-of-write detection
- TTL I/O compatibility
- JEDEC standard - Flash EEPROM pinouts and command sets
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Paralela
Densidad de Memoria
1
Configuración de Memoria
128K x 8bit
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Estuche / Paquete CI
DIP
Frecuencia Max de Reloj
14
Tiempo de Acceso
70
Tensión de Alimentación Máx.
5.5
IC, Montaje
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
70
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tamaño de la Memoria
1Mbit
Configuración Memoria Flash
128K x 8bit
Interfaces
Paralelo
Memoria, Tipo
DIP
No. de Pines
32Pines
Frecuencia de Reloj
14MHz
Tensión de Alimentación Mín.
4.5
Tensión de Alimentación Nom.
5
Temperatura de Trabajo Mín.
0
Rango de Producto
Serie 5V Parallel NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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