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VP2106N3-G
MOSFET, P-CH, -60V, -0.25A, TO-92
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteVP2106N3-GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark31AC2626
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteVP2106N3-GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark31AC2626
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id250mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9ohm
Diseño de Transistor
TO-92
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
250mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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