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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84FCopiar
No. Parte Newark80AH7629
Rango de Producto1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR2 Flash Memories
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84FCopiar
No. Parte Newark80AH7629
Rango de Producto1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR2 Flash Memories
Tipo de Memoria FlashNAND con LPDDR2 Móvil
Densidad de Memoria4
Tamaño de la Memoria4Gbit
Configuración Memoria Flash512M x 8bit
Configuración de Memoria512M x 8bit
InterfacesSPI
Tipo de Interfaz ICSPI
Memoria, TipoVFBGA
Estuche / Paquete CIVFBGA
No. de Pines162Pines
Frecuencia Max de Reloj533
Frecuencia de Reloj533MHz
Tiempo de Acceso22
Tensión de Alimentación Mín.1.7
Tensión de Alimentación Máx.1.95
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR2 Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NAND con LPDDR2 Móvil
Tamaño de la Memoria
4Gbit
Configuración de Memoria
512M x 8bit
Tipo de Interfaz IC
SPI
Estuche / Paquete CI
VFBGA
Frecuencia Max de Reloj
533
Tiempo de Acceso
22
Tensión de Alimentación Máx.
1.95
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Densidad de Memoria
4
Configuración Memoria Flash
512M x 8bit
Interfaces
SPI
Memoria, Tipo
VFBGA
No. de Pines
162Pines
Frecuencia de Reloj
533MHz
Tensión de Alimentación Mín.
1.7
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
1.8V Parallel NAND with Mobile LPDDR2 Flash Memories
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
