MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F

MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F es un dispositivo flash NAND que incluye una interfaz de datos asíncrona para operaciones de E/S de alto rendimiento. Este dispositivo utiliza un bus de 8 bits altamente multiplexado (E/Ox) para transferir comandos, direcciones y datos. Hay cinco señales de control que se utilizan para implementar la interfaz de datos asincrónica: CE#, CLE, ALE, WE#, y RE#. Las señales adicionales controlan la protección contra escritura del hardware y monitorean el estado del dispositivo (R/B#). Esta interfaz de hardware crea un dispositivo con un número bajo de pines y una distribución de pines estándar que permanece igual de una densidad a otra, lo que permite futuras actualizaciones a densidades más altas sin necesidad de rediseñar la placa. Un objetivo es la unidad de memoria a la que se accede mediante una señal habilitada por chip. Un objetivo contiene una o más memorias flash NAND. Una memoria NAND Flash es la unidad mínima que puede ejecutar comandos de forma independiente y reportar el estado.

• Densidad de 1Gb, ancho de dispositivo de 8 bits, nivel SLC, 1 dado, nCE, RnB y canal de E/S
• Rango de voltaje de funcionamiento de 1.8V (1.7 a 1.95V), conjunto de funciones F, interfaz solo asíncrona
• ECC interno habilitado de forma predeterminada (Paralelo), estado de producción, revisión de diseño F (reducción)
• Tecnología de celda de un solo nivel (SLC) compatible con Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.01
• Tamaño de página x8: 2176 bytes (2048 + 128 bytes), tamaño de bloque: 64 páginas (128K + 8K bytes)
• Tamaño del avión: 1 plano x 1024 bloques por plano, tamaño del dispositivo: 1Gb. 1024 bloques
• Rendimiento de E/S asincrónica, tRC/tWC: 20ns/20ns (3.3V), 30ns/30ns (1.8V)
• Leer página: 80µs, página del programa: 220µs (típico 3.3V/1.8V), borrar bloque: 2ms (típico)
• Conjunto de comandos: Protocolo flash NAND ONFI, modo de caché de página de programa, modo de caché de página de lectura
• Paquete VFBGA de 63 bolas, rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 °C a +85 °C