MT29F2G08ABBGAH4-IT:G

MT29F2G08ABBGAH4-IT:G es una memoria flash NAND. Incluye una interfaz de datos asíncrona para operaciones de E/S de alto rendimiento. Este dispositivo utiliza un bus de 8 bits altamente multiplexado (I/Ox) para transferir comandos, direcciones y datos. Hay cinco señales de control que se utilizan para implementar la interfaz de datos asincrónica: CE#, CLE, ALE, WE#, y RE#. Las señales adicionales controlan la protección contra escritura del hardware y monitorean el estado del dispositivo (R/B#). Esta interfaz de hardware crea un dispositivo con un número bajo de pines y una distribución de pines estándar que permanece igual de una densidad a otra, lo que permite futuras actualizaciones a densidades más altas sin necesidad de rediseñar la placa. Un objetivo es la unidad de memoria a la que se accede mediante una señal de habilitación del chip. Un objetivo contiene una o más memorias flash NAND. Una memoria NAND Flash es la unidad mínima que puede ejecutar comandos e informar el estado de forma independiente. En la especificación ONFI, una memoria Flash NAND se denomina unidad lógica (LUN). Hay al menos una memoria Flash NAND por cada señal de habilitación de chip.

• Compatible con la interfaz de memoria flash NAND abierta (ONFI) 1.0, tecnología de celda de nivel único (SLC), conjunto de características G
• Operaciones de movimiento de datos internos admitidas dentro del plano desde el que se leen los datos
• Rendimiento de E/S asíncronas tRC/tWC: 20ns (3.3V), señal WP#: protección contra escritura para todo el dispositivo
• Rendimiento de la matriz: lectura de página: 115µs máx. (ECC integrado activado) y 25µs máx. (ECC integrado desactivado)
• RESET (FFh) requerido como primer comando después del encendido, calidad y confiabilidad
• Conjunto de comandos avanzados: modo de caché de páginas de programa, modo de caché de páginas de lectura, bloqueo de bloques.
• El byte de estado de operación proporciona un método de software para detectar el estado de protección contra escritura.
• La señal Listo/Ocupado# (R/B#) proporciona un método de hardware para detectar la finalización de la operación
• Densidad de 2Gb, ancho de dispositivo de 8 bits, nivel SLC, rango de voltaje de funcionamiento de 1.8V (1.7 a 1.95V).
• Encapsulado VFBGA de 63 pines, rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 a 85 °C.