MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

MT29F4G01ABAFDWB-IT:F es una memoria flash NAND. Se trata de un dispositivo de memoria flash SLC NAND que proporciona una solución de almacenamiento de memoria no volátil rentable, donde el número de pines debe mantenerse al mínimo. También es una solución alternativa a SPI NOR, que ofrece un rendimiento de escritura y un coste por bit superiores a los de SPI NOR. La interfaz de hardware crea un dispositivo con un número bajo de pines y una distribución de pines estándar que permanece igual de una densidad a otra y admite futuras actualizaciones a densidades más altas sin necesidad de rediseñar la tarjeta. La interfaz eléctrica en serie sigue la interfaz periférica en serie estándar de la industria. Se definen nuevos protocolos de comando y registros para el funcionamiento de SPI. El conjunto de comandos se parece a los conjuntos de comandos SPI-NOR comunes, modificados para manejar funciones específicas de NAND y nuevas características adicionales.

• Tecnología de celdas de un solo nivel (SLC)
• La corrección de errores interna está habilitada por defecto; se admite la corrección de errores interna seleccionable por el usuario, 8 bits/sector
• Modo de caché de página de lectura (×2, ×4, dual, cuádruple, aleatorio), ID único de lectura, página de parámetros de lectura
• Inicialización del dispositivo, inicialización automática del dispositivo después del encendido
• Resistencia: 100,000 ciclos de PROGRAMACIÓN/BORRADO, retención de datos: Conforme a la norma JESD47H
• Retención de datos no procesados: 10 años 24/7 a 85 °C
• Densidad de 4Gb
• Rango de voltaje de funcionamiento de 3.3V (2.7–3.6V)
• Encapsulado U-PDFN de 8 pines (8mm x 6mm x 0.65mm)
• Rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 °C a +85 °C