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MT29F8T08EWHAFJ6-3T:A
Memoria Flash, TLC NAND, 8192 Gbit, 1T x 8bit, Paralelo, LBGA, 132 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29F8T08EWHAFJ6-3T:ACopiar
No. Parte Newark80AH7842
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Su número de pieza
No está disponible
Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT29F8T08EWHAFJ6-3T:ACopiar
No. Parte Newark80AH7842
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashTLC NAND
Tamaño de la Memoria8192Gbit
Densidad de Memoria8192Gbit
Configuración de Memoria1T x 8bit
Configuración Memoria Flash1T x 8bit
InterfacesParalelo
Tipo de Interfaz ICParallel
Estuche / Paquete CILBGA
Memoria, TipoLBGA
No. de Pines132Pines
Frecuencia de Reloj333MHz
Frecuencia Max de Reloj333MHz
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.-
Tensión de Alimentación Máx.-
Temperatura de Trabajo Mín.0°C
Temperatura de Trabajo Máx.70°C
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
TLC NAND
Densidad de Memoria
8192Gbit
Configuración Memoria Flash
1T x 8bit
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Memoria, Tipo
LBGA
Frecuencia de Reloj
333MHz
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
-
Temperatura de Trabajo Máx.
70°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tamaño de la Memoria
8192Gbit
Configuración de Memoria
1T x 8bit
Interfaces
Paralelo
Estuche / Paquete CI
LBGA
No. de Pines
132Pines
Frecuencia Max de Reloj
333MHz
Tensión de Alimentación Mín.
-
Temperatura de Trabajo Mín.
0°C
Rango de Producto
3.3V Parallel NAND Flash Memories
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto