MT42L64M32D2HE-18 AAT:D

La MT42L64M32D2HE-18 AAT:D es una SDRAM LPDDR2. Es una SDRAM DDR2 móvil de bajo consumo (LPDDR2) de 1 Gb y CMOS de alta velocidad, memoria dinámica de acceso aleatorio que contiene 1.073.741.824 bits. Esta memoria está configurada internamente como una DRAM de ocho bancos. Cada uno de los bancos de 134.217.728 bits del x16 está organizado como 8192 filas por 1024 columnas por 16 bits. Cada uno de los bancos de 134,217.728 bits del x32 está organizado como 8192 filas por 512 columnas por 32 bits. Tiene multiplexado, doble tasa de datos, entradas de comando/dirección; comandos ingresados en cada borde CK. Tiene estroboscopio de datos bidireccional/diferencial por byte de datos (DQS/DQS#), latencias de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL).

• El rango de tensión de funcionamiento es de 1.2V.
• Configuración de 63Meg x 32, certificado automotriz
• El estilo de empaque es FBGA de 134 bolas, 10mm x 11.5mm
• El tiempo de ciclo es 1.875ns, ᵗCK RL = 8, LPDDR2, direccionamiento de 2 dados
• El rango de temperatura de funcionamiento es de –40°C a +105°C, cuarta generación
• La velocidad del reloj es de 533MHz, la velocidad de datos es de 1066Mb/s/pin
• Fuentes de alimentación de E/S y núcleo de voltaje ultra bajo, arquitectura DDR de recuperación previa de cuatro bits
• Ocho bancos internos para operación concurrente, actualización por banco para operación concurrente
• Actualización automática de matriz parcial (PASR), modo de apagado profundo (DPD)
• Fuerza de transmisión de salida seleccionable (DS), capacidad de parada de reloj