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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT46H32M32LFB5-5 IT:B
No. Parte Newark80AH8094
Hoja de datos técnicos
365 En Stock
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT46H32M32LFB5-5 IT:B
No. Parte Newark80AH8094
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR móvil
Densidad de Memoria1
Densidad de DRAM1Gbit
Configuración Memoria DRAM32M x 32bit
Configuración de Memoria32M x 32bit
Frecuencia de Reloj200MHz
Frecuencia Max de Reloj200
Estuche / Paquete CIVFBGA
Memoria, TipoVFBGA
No. de Pines90Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8
Tiempo de Acceso5ns
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
MT46H32M32LFB5-5 IT:B es una SDRAM DDR móvil de bajo consumo. Es una memoria de acceso aleatorio dinámica CMOS de alta velocidad que contiene 1,073,741,824 bits. Está configurado internamente como una DRAM de cuatro bancos. Cada uno de los bancos de 268.435.456 bits del x16 está organizado como 16384 filas por 1024 columnas por 16 bits. Cada uno de los bancos de 268.435.456 bits del x32 está organizado como 8192 filas por 1024 columnas por 32 bits.
- El rango de voltaje operativo es de 1.8V, apagado profundo (DPD)
- Configuración de 32 Meg x 32, capacidad de parada de reloj
- El estilo de empaque es VFBGA de 90 bolas (8mm x 13mm), "verde"
- El tiempo (tiempo de ciclo) es de 5 ns en CL = 3 (200 MHz), direccionamiento estándar JEDEC
- El rango de temperatura de funcionamiento industrial es de –40 °C a +85 °C, segunda generación
- La velocidad del reloj es de 200MHz, luz estroboscópica de datos bidireccional por byte de datos (DQS)
- Entradas de reloj diferencial (CK y CK#), comandos ingresados en cada flanco positivo de CK
- DQS alineado en el borde con datos para LECTURA, alineado en el centro con datos para ESCRITURA
- Se admite la opción de precarga automática simultánea, actualización automática y modos de actualización automática
- Actualización automática con compensación de temperatura (TCSR), actualización automática de matriz parcial (PASR)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR móvil
Densidad de DRAM
1Gbit
Configuración de Memoria
32M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj
200
Memoria, Tipo
VFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de Memoria
1
Configuración Memoria DRAM
32M x 32bit
Frecuencia de Reloj
200MHz
Estuche / Paquete CI
VFBGA
No. de Pines
90Pines
Tiempo de Acceso
5ns
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto