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MT53E1G32D2FW-046 AAT:B
DRAM, LPDDR4 Móvil, 32 Gbit, 1G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G32D2FW-046 AAT:BCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark80AJ9993
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G32D2FW-046 AAT:BCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark80AJ9993
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM32Gbit
Densidad de Memoria32
Configuración Memoria DRAM1G x 32bit
Configuración de Memoria1G x 32bit
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Frecuencia Max de Reloj2.133
Estuche / Paquete CITFBGA
Memoria, TipoTFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
Tiempo de Acceso468ps
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.105
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Resumen del producto
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B is a x32 automotive mobile LPDDR4 SDRAM high-speed, CMOS dynamic random-access memory device.
- 1G x 32bit memory configuration, 4266Mb/s data rate/pin, 468ps tCK RL= 36/40 cycle time
- 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ or 1.10V VDDQ/1.80V VDD1 operating voltage
- AEC-Q100 automotive grade
- Frequency range from 2133 to 10MHz, 2133MHz clock rate, 16n prefetch DDR architecture
- 8 internal banks per channel for concurrent operation, single-data-rate CMD/ADR entry
- Bidirectional/differential data strobe per byte lane, programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate, Selectable output drive strength (DS)
- Partial-array self refresh (PASR), programmable VSS (ODT) termination, single-ended CK, DQS support
- Operating temperature range from -40 to +105°C, 200-ball TFBGA 10 x 14.5 x 1.1mm (Ø0.40 SMD) package
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria
32
Configuración de Memoria
1G x 32bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Memoria, Tipo
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
105
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de DRAM
32Gbit
Configuración Memoria DRAM
1G x 32bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Estuche / Paquete CI
TFBGA
No. de Pines
200Pines
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto