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MT53E256M32D2DS-046 AIT:B
DRAM, LPDDR4 Móvil, 8 Gbit, 256M x 32bit, 2.133 GHz, WFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E256M32D2DS-046 AIT:BCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark83AH2736
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E256M32D2DS-046 AIT:BCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark83AH2736
Tipo de DRAMMobile LPDDR4
Densidad de Memoria8
Densidad de DRAM0
Configuración Memoria DRAM0
Configuración de Memoria256M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj2.133
Frecuencia de Reloj0
Memoria, Tipo0
Estuche / Paquete CIWFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso0
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.95
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
- SDRAM LPDDR4/LPDDR4X para automoción
- Configuración de 256 Meg x 32, LPDDR4, direccionamiento de 2 matriz
- Tiempo de ciclo tCK RL = 36/40 de 468ps
- Rango de frecuencia de 2133 a 10MHz (rango de velocidad de datos de 4266 a 20Mb/s/pin)
- Arquitectura DDR prefetch 16n, 8 bancos internos por canal para operación simultánea
- Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencias de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL)
- Actualización dirigida por banco para operaciones bancarias simultáneas y facilidad de programación de comandos
- Sensor de temperatura en chip para controlar la frecuencia de actualización automática y actualización automática de matriz parcial (PASR)
- Paquete WFBGA de 200 bolas, rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a +95 °C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
Mobile LPDDR4
Densidad de DRAM
0
Configuración de Memoria
256M x 32bit
Frecuencia de Reloj
0
Estuche / Paquete CI
WFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
Tiempo de Acceso
0
Temperatura de Trabajo Máx.
95
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de Memoria
8
Configuración Memoria DRAM
0
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Memoria, Tipo
0
No. de Pines
200Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto