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MT53E768M64D4HJ-046 AUT:B
DRAM, LPDDR4 Móvil, 48 Gbit, 768M x 64bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E768M64D4HJ-046 AUT:BCopiar
No. Parte Newark80AH8469
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E768M64D4HJ-046 AUT:BCopiar
No. Parte Newark80AH8469
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM48Gbit
Densidad de Memoria48
Configuración de Memoria768M x 64bit
Configuración Memoria DRAM768M x 64bit
Frecuencia Max de Reloj2.133
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Memoria, TipoTFBGA
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines556Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso468ps
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.125
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria
48
Configuración Memoria DRAM
768M x 64bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Máx.
125
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Densidad de DRAM
48Gbit
Configuración de Memoria
768M x 64bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Memoria, Tipo
TFBGA
No. de Pines
556Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto