Imprimir página
MTFC64GAKAEYF-4M IT
Memoria Flash, eMMC NAND, 512 Gbit, 64G x 8bit, Paralelo, LFBGA, 153 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMTFC64GAKAEYF-4M ITCopiar
No. Parte Newark80AH7154
Rango de Producto3.3V eMMC NAND Flash Memories
Su número de pieza
No está disponible
Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMTFC64GAKAEYF-4M ITCopiar
No. Parte Newark80AH7154
Rango de Producto3.3V eMMC NAND Flash Memories
Tipo de Memoria FlasheMMC NAND
Densidad de Memoria512
Tamaño de la Memoria512Gbit
Configuración Memoria Flash64G x 8bit
Configuración de Memoria64G x 8bit
InterfacesParalelo
Tipo de Interfaz ICParallel
Estuche / Paquete CILFBGA
Memoria, TipoLFBGA
No. de Pines153Pines
Frecuencia Max de Reloj52
Frecuencia de Reloj52MHz
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7
Tensión de Alimentación Máx.3.6
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto3.3V eMMC NAND Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
eMMC NAND
Tamaño de la Memoria
512Gbit
Configuración de Memoria
64G x 8bit
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Memoria, Tipo
LFBGA
Frecuencia Max de Reloj
52
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Densidad de Memoria
512
Configuración Memoria Flash
64G x 8bit
Interfaces
Paralelo
Estuche / Paquete CI
LFBGA
No. de Pines
153Pines
Frecuencia de Reloj
52MHz
Tensión de Alimentación Mín.
2.7
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
3.3V eMMC NAND Flash Memories
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto