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2N7002-7-F
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteMULTICOMP PRO
No. Parte Fabricante2N7002-7-F
No. Parte Newark65W8792
Rango de ProductoMulticomp Pro Power MOSFET N Channel Transistors
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMULTICOMP PRO
No. Parte Fabricante2N7002-7-F
No. Parte Newark65W8792
Rango de ProductoMulticomp Pro Power MOSFET N Channel Transistors
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id115
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7.5
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd200mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1
Disipación de Potencia200
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMulticomp Pro Power MOSFET N Channel Transistors
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para el número de pieza 2N7002-7-F
5 productos encontrados
Resumen del producto
Este Multicomp Pro 2N7002-7-F es un MOSFET de potencia de canal N de alta eficiencia, diseñado para un rendimiento confiable en aplicaciones compactas. Con un voltaje máximo de drenaje a fuente de 60V y una corriente nominal de 115mA, este MOSFET ofrece un control robusto con una baja resistencia de encendido de solo 1.2 ohms. Empaquetado en un formato de montaje superficial SOT-23 que ahorra espacio, es perfecto para circuitos electrónicos modernos donde la precisión y la confiabilidad son primordiales.
- Diseño de celdas de alta densidad para RDS(ON) bajo
- Interruptor pequeño controlado por voltaje
- Resistente y confiable
- Alta resistencia a corriente de saturación
- Los productos Multicomp Pro tienen una calificación de 4.6 de 5 estrellas
- 12 Meses Garantía Limitada *Vea los Términos y Condiciones para más Detalles
- El 96% de los clientes lo recomendarían a un amigo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7.5
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
Multicomp Pro Power MOSFET N Channel Transistors
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
115
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
200mW
Disipación de Potencia
200
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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