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FabricanteMULTICOMP PRO
No. Parte Fabricante2N7002DW-7-F
No. Parte Newark66W0958
Rango de ProductoMulticomp Pro MOSFET, N Channel
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMULTICOMP PRO
No. Parte Fabricante2N7002DW-7-F
No. Parte Newark66W0958
Rango de ProductoMulticomp Pro MOSFET, N Channel
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id115mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N115
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente13.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N200
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMulticomp Pro MOSFET, N Channel
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternativas para el número de pieza 2N7002DW-7-F
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El Dual MOSFET es un dispositivo semiconductor diseñado para controlar y amplificar señales eléctricas en circuitos electrónicos. Este MOSFET específico es del tipo canal N y ofrece excelentes características de rendimiento en un paquete compacto. Con un voltaje nominal máximo de 60 V, este MOSFET puede manejar una amplia gama de niveles de voltaje que se encuentran comúnmente en aplicaciones electrónicas. Es muy adecuado para diversos diseños de circuitos de voltaje bajo a medio, proporcionando control y amplificación de señal eficiente.
- MOSFET de doble canal N
- Baja resistencia de encendido
- Bajo Voltaje de Umbral de Compuerta
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Baja fuga de entrada/salida
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
Multicomp Pro MOSFET, N Channel
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
115mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
115
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
13.5
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
200
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto