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HMV4P1P02S
MOSFET, P-CH, 20V, 4.1A, SOT-23
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FabricanteMULTICOMP PRO
No. Parte FabricanteHMV4P1P02SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark04AM1148
Rango de ProductoMulticomp Pro P Channel MOSFETs
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.396 |
| 10+ | $0.284 |
| 100+ | $0.175 |
| 500+ | $0.136 |
| 1000+ | $0.112 |
| 2500+ | $0.100 |
| 10000+ | $0.098 |
| 25000+ | $0.086 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteMULTICOMP PRO
No. Parte FabricanteHMV4P1P02SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark04AM1148
Rango de ProductoMulticomp Pro P Channel MOSFETs
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id4.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.039ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia1.1W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMulticomp Pro P Channel MOSFETs
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.1A
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.039ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
Multicomp Pro P Channel MOSFETs
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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