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BUK9M13-80LX
MOSFET, N-CHANNEL, 80V, 55A, LFPAK33
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.650 |
| 10+ | $2.310 |
| 25+ | $2.060 |
| 50+ | $1.810 |
| 100+ | $1.570 |
| 250+ | $1.460 |
| 500+ | $1.340 |
| 1000+ | $1.080 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBUK9M13-80LXCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark16AM6404
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id55A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0125ohm
Diseño de TransistorLFPAK33
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.05V
Disipación de Potencia91W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
55A
Diseño de Transistor
LFPAK33
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
91W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0125ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.05V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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