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GAN3R2-100CBEAZ
GAN TRANSISTOR, 100V, 60A, WLCSP-8
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.180 |
| 10+ | $4.490 |
| 25+ | $4.170 |
| 50+ | $3.850 |
| 100+ | $3.530 |
| 250+ | $3.450 |
| 500+ | $3.380 |
| 1000+ | $2.860 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGAN3R2-100CBEAZ
No. Parte Newark74AK7566
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2400µohm
Carga de Compuerta Típica9.2
Diseño de TransistorWLCSP
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines8Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2400µohm
Diseño de Transistor
WLCSP
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
60
Carga de Compuerta Típica
9.2
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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