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GAN3R2-100CBEAZ
Transistor de nitruro de galio (GaN), 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.170 |
| 10+ | $4.480 |
| 25+ | $4.160 |
| 50+ | $3.840 |
| 100+ | $3.520 |
| 250+ | $3.440 |
| 500+ | $3.370 |
| 1000+ | $2.850 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGAN3R2-100CBEAZ
No. Parte Newark74AK7566
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0024
Carga de Compuerta Típica9.2
Diseño de TransistorWLCSP
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines8Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0024
Diseño de Transistor
WLCSP
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
60
Carga de Compuerta Típica
9.2
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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