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| 50+ | $32.370 |
| 100+ | $29.970 |
| 250+ | $27.620 |
| 500+ | $25.280 |
| 1000+ | $23.650 |
| 2500+ | $22.270 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNSF017120T1A0HPCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark15AN5310
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id111A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.026ohm
Diseño de TransistorQDPAK-EP
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9V
Disipación de Potencia469W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
111A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.026ohm
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
QDPAK-EP
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
469W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
