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NSF030120D7A0-QJ
SILICON CARBIDE, SIC, MOSFETS - MODULES ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $25.300 |
| 10+ | $23.640 |
| 25+ | $22.200 |
| 50+ | $20.820 |
| 100+ | $19.410 |
| 250+ | $18.420 |
| 500+ | $17.610 |
| 1600+ | $16.960 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNSF030120D7A0-QJ
No. Parte Newark44AM4345
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id69A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045ohm
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9V
Disipación de Potencia306W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
69A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
306W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto