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NSF040120T2A1J
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 55A, XPAK ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteNEXPERIA
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No. Parte Newark49AM1335
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 800+ | $12.290 |
| 1600+ | $11.950 |
| 3200+ | $11.210 |
| 4800+ | $10.700 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 800
Múltiple: 800
$9,832.00
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNSF040120T2A1JCopiar
No. Parte Newark49AM1335
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id55A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Diseño de TransistorX.PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.77V
Disipación de Potencia254W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
55A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.77V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
X.PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
254W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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