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NSF060120T1A0-QHP
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 33A, QDPAK-22
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNSF060120T1A0-QHPCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark17AN5694
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 8 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $17.940 |
| 50+ | $16.140 |
| 100+ | $15.320 |
| 250+ | $13.820 |
| 500+ | $12.680 |
| 1000+ | $11.410 |
| 2500+ | $10.870 |
| 5000+ | $10.240 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$17.94
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNSF060120T1A0-QHPCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark17AN5694
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id33A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.09ohm
Diseño de TransistorQDPAK
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9V
Disipación de Potencia152W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
33A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.09ohm
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
QDPAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
152W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto