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NX7002AK 215.
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX7002AK 215.Copiar
No. Parte Newark23AC7924
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id190
Resistencia de Activación Rds(on)3ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd265mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Diseño de TransistorTO-236AB
Disipación de Potencia265
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
3ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-236AB
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
190
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
265mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
Disipación de Potencia
265
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NX7002AK 215.
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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