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PMDPB55XPAX
MOSFET, DUAL P-CH, 20V, 3.6A, DFN2020
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.520 |
| 50+ | $0.960 |
| 100+ | $0.639 |
| 250+ | $0.571 |
| 500+ | $0.502 |
| 1000+ | $0.458 |
| 2500+ | $0.448 |
| 5000+ | $0.440 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMDPB55XPAXCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark03AM8180
Tipo de CanalDual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.066ohm
Diseño de TransistorDFN2020
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.6A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.066ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.6W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
DFN2020
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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