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PMN40SNAH
MOSFET, N-CH, 60V, 4.7A, SOT-457-6 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.340 |
| 10+ | $0.832 |
| 25+ | $0.739 |
| 50+ | $0.646 |
| 100+ | $0.552 |
| 250+ | $0.492 |
| 500+ | $0.432 |
| 1000+ | $0.364 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMN40SNAH
No. Parte Newark14AM4778
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id4.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.036ohm
Diseño de TransistorSOT-457
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia650mW
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.7A
Diseño de Transistor
SOT-457
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
650mW
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.036ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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