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PMV450ENEAR
MOSFET, CANAL N, 60V, 0.8A, TO-236AB
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FabricanteNEXPERIA
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Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark87AK5700
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 54 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.076 |
| 9000+ | $0.067 |
| 15000+ | $0.064 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$228.00
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV450ENEARCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark87AK5700
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id800mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.38ohm
Diseño de TransistorTO-236AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia323mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
800mA
Diseño de Transistor
TO-236AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
323mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.38ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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