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PSMN012-100YSFX
MOSFET, CANAL N, 100V, 65A, SOT-669
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FabricanteNEXPERIA
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Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark80AK3438
Rango de ProductoNextPower Series
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
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Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark80AK3438
Rango de ProductoNextPower Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id65A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9700µohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia130W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoNextPower Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
65A
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
130W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9700µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
NextPower Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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