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PSMN030-60YS,115
MOSFET,N CHANNEL,60V,29A,LFPAK
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN030-60YS,115
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13T9532
Cinta adhesiva13T9532
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.860 | $1.86 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.86 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.860 |
| 10+ | $1.160 |
| 25+ | $1.030 |
| 50+ | $0.890 |
| 100+ | $0.754 |
| 250+ | $0.668 |
| 500+ | $0.581 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN030-60YS,115
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13T9532
Cinta adhesiva13T9532
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id29A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0191ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0191ohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd56W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia56W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PSMN030-60YS es un MOSFET de nivel estándar de canal N con tecnología avanzada TrenchMOS que proporciona una baja carga RDS (ON) y baja carga. Está diseñado y calificado para su uso en una amplia gama de convertidores de CD a CD, protección de batería de iones de litio, conmutación de carga, fuentes de alimentación del servidor y aplicaciones de equipos domésticos.
- Características mecánicas y térmicas mejoradas.
- Ganancias de alta eficiencia en el cambio de convertidores de potencia
- LFPAK proporciona la máxima densidad de potencia en un paquete SO8 de potencia
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
29A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0191ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
56W
Disipación de Potencia
56W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0191ohm
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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