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PSMN1R0-30YLC,115
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 100A, LFPAK
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R0-30YLC,115
No. Parte Newark55T6966
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $1.280 |
| 25+ | $1.250 |
| 50+ | $1.220 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R0-30YLC,115
No. Parte Newark55T6966
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1150µohm
Resistencia de Activación Rds(on)850µohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd137W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.41
Disipación de Potencia137
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PSMN1R0-30YLC es un MOSFET de nivel lógico de modo de mejora de canal N optimizado para un controlador de compuerta de 4.5V que utiliza la tecnología NextPower Superjunction. Está diseñado y calificado para su uso en una amplia gama de convertidores de CD a CD, protección de batería de iones de litio, conmutación de carga, junta tórica de alimentación, fuentes de alimentación del servidor, rectificador de sincronización y aplicaciones de equipos domésticos.
- Ultra bajo QG, QGD y QOSS para altas eficiencias del sistema en cargas bajas y altas
- RDS ultra bajo (ON) y baja inductancia parasitaria
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100
Resistencia de Activación Rds(on)
850µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
137W
Disipación de Potencia
137
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1150µohm
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.41
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza PSMN1R0-30YLC,115
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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