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PSMN1R4-40YSHX
MOSFET, N-CH, 40V, 240A, LFPAK56E-4 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R4-40YSHXCopiar
No. Parte Newark80AK3440
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R4-40YSHXCopiar
No. Parte Newark80AK3440
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id240A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1400µohm
Diseño de TransistorLFPAK56E
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6V
Disipación de Potencia333W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
240A
Diseño de Transistor
LFPAK56E
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
333W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1400µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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