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MMRF1015NR1
RF FET, N-CH, 1MHZ-2GHZ, TO-270-2
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $21.950 |
| 10+ | $18.590 |
| 25+ | $17.440 |
| 50+ | $17.430 |
| 100+ | $16.160 |
| 250+ | $15.570 |
| 500+ | $14.890 |
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteMMRF1015NR1
No. Parte Newark07AH4159
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0.27V
Intensidad Drenador Continua Id-
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd0
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1MHz
Frecuencia de Funcionamiento Máx.2GHz
Diseño de TransistorTO-270
No. de Pines2Pines
Encapsulado de Transistor RF0
Temperatura de Trabajo Máx.225°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorFlange
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0.27V
Disipación de Potencia
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1MHz
Diseño de Transistor
TO-270
Encapsulado de Transistor RF
0
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Intensidad Drenador Continua Id
-
Disipación de Potencia Pd
0
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
2GHz
No. de Pines
2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Flange
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificado de conformidad del producto
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