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MJD117T4G
TRANSISTOR, PNP, -100V, -2A, TO-252
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJD117T4G
No. Parte Newark50AC6102
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Disipación de Potencia Pd20W
Frecuencia de Transición0
Corriente del Colector Continua0
Corriente de Colector DC2A
Disipación de Potencia0
Encapsulado de Transistor RFTO-252 (DPAK)
No. de Pines4Pines
Diseño de Transistor0
Ganancia de Corriente DC hFE200hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Frecuencia de Transición
0
Corriente de Colector DC
2A
Encapsulado de Transistor RF
TO-252 (DPAK)
Diseño de Transistor
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Disipación de Potencia Pd
20W
Corriente del Colector Continua
0
Disipación de Potencia
0
No. de Pines
4Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
200hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJD117T4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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