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NTPF125N65S3H
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-220FP ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTPF125N65S3H
No. Parte Newark50AJ5904
Rango de ProductoSUPERFET III
Hoja de datos técnicos
945 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $6.790 |
| 10+ | $6.330 |
| 25+ | $5.340 |
| 50+ | $4.450 |
| 100+ | $4.280 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTPF125N65S3H
No. Parte Newark50AJ5904
Rango de ProductoSUPERFET III
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id24A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.108ohm
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia37W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSUPERFET III
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
37W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SUPERFET III
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
24A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.108ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto