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SMUN5111T1G
DIGITAL TRANSISTOR, 50V, 0.1A ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteSMUN5111T1G
No. Parte Newark54AH9644
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.208 |
| 10+ | $0.132 |
| 25+ | $0.116 |
| 50+ | $0.100 |
| 100+ | $0.085 |
| 250+ | $0.074 |
| 500+ | $0.064 |
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Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteSMUN5111T1G
No. Parte Newark54AH9644
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadSingle PNP
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor-
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50V
Corriente del Colector Continua100mA
Resitencia Básica de Entrada R110kohm
Resistencia R2 Base Emisor10kohm
Diseño de TransistorSC-70
No. de Pines3 Pin
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia310mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.35hFE
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Single PNP
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50V
Resitencia Básica de Entrada R1
10kohm
Diseño de Transistor
SC-70
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
-
Corriente del Colector Continua
100mA
Resistencia R2 Base Emisor
10kohm
No. de Pines
3 Pin
Disipación de Potencia
310mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
35hFE
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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