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2N3820
Transistor FET RF, -10 V, 7.65 mA, 350 mW, TO-92
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N3820
No. Parte Newark58K9637
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds-10
Intensidad Drenador Continua Id7.65
Disipación de Potencia350
Disipación de Potencia Pd350mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.-
Diseño de TransistorTO-92
No. de Pines3Pines
Encapsulado de Transistor RFTO-92
Temperatura de Trabajo Máx.-
Tipo de CanalCanal P
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
-10
Disipación de Potencia
350
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Diseño de Transistor
TO-92
Encapsulado de Transistor RF
TO-92
Tipo de Canal
Canal P
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Intensidad Drenador Continua Id
7.65
Disipación de Potencia Pd
350mW
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
-
No. de Pines
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
-
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto