Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

120,492 En Stock
¿Necesita más?
437 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
120055 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 6 p.m.
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.030 |
| 10+ | $1.500 |
| 100+ | $0.976 |
| 500+ | $0.811 |
| 1600+ | $0.758 |
| 3200+ | $0.714 |
| 10400+ | $0.651 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.03
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBUZ11-NR4941
No. Parte Newark31Y0570
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia de Activación Rds(on)0.03ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd75W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia75W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza BUZ11-NR4941
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
The BUZ11_NR4941 is a 50V N-channel Power MOSFET designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. This type can be operated directly from integrated circuits. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Nanosecond switching speed
- Linear transfer characteristics
- High input impedance
- 170ns Fall time
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.03ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
75W
Disipación de Potencia
75W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
