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FDC602P
MOSFET, P-CH, 20V, 5.5A, SUPERSOT
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC602PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark86AK4922
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 18 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.378 |
| 6000+ | $0.355 |
| 12000+ | $0.337 |
| 18000+ | $0.321 |
| 30000+ | $0.310 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$1,134.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC602PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark86AK4922
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id5.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.035ohm
Diseño de TransistorSuperSOT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900mV
Disipación de Potencia1.6W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.5A
Diseño de Transistor
SuperSOT
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.035ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900mV
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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