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FDMC7696
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 20 A, 0.0085 ohm, MLP, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMC7696
No. Parte Newark88T3273
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0085ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0085ohm
Diseño de TransistorMLP
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd25W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia25W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDMC7696 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del estado ON. Es muy adecuado para aplicaciones de conmutación de carga comunes en paquetes de baterías po
- Tecnología de alto rendimiento para RDS (ON) extremadamente bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0085ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0085ohm
Diseño de Transistor
MLP
Disipación de Potencia Pd
25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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