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FDMS86101
MOSFET,N CH,100V,12.4A,POWER56
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FabricanteONSEMI
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No. Parte Newark55T6326
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.610 |
| 10+ | $2.270 |
| 100+ | $1.900 |
| 500+ | $1.780 |
| 1000+ | $1.640 |
| 2500+ | $1.390 |
| 5000+ | $1.360 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDMS86101Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante58 semanas
No. Parte Newark55T6326
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8000µohm
Diseño de TransistorPower 56
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9V
Disipación de Potencia104W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
Power 56
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
104W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FDMS86101
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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