Imprimir página
FDN340P
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
19,064 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.089 |
| 25+ | $0.089 |
| 50+ | $0.089 |
| 100+ | $0.089 |
| 250+ | $0.089 |
| 500+ | $0.089 |
| 1000+ | $0.089 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.09
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN340P
No. Parte Newark58K8841
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.07
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Diseño de TransistorSuperSOT
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDN340P es un MOSFET de trinchera de potencia especificada de 2.5V de un solo canal P de -20V en paquete SOT-23. Este MOSFET se produce mediante el proceso PowerTrench para minimizar la resistencia del estado y al mismo tiempo, mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Aplicable en electrónica portátil, conmutación de carga, administración de energía, circuitos de carga de batería y conversión de CD a CD.
- Tecnología de trinchera de alto rendimiento para Rds extremadamente bajo (encendido)
- Carga de puerta baja típicamente 7.2 nC
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -20V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 8V
- Corriente continua de drenaje de -2A
- Disipación de potencia Pd de 500mW
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 150°C
- Resistencia en estado de encendido Rds(on) de 82mohm con Vgs de -2.5V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.07
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Diseño de Transistor
SuperSOT
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Disipación de Potencia Pd
500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDN340P
2 productos encontrados
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto