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FDN360P
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN360P
No. Parte Newark
Hilado completo87X5244
Cinta adhesiva58K1466
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
1,754 En Stock
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.666 |
| 25+ | $0.428 |
| 50+ | $0.334 |
| 100+ | $0.239 |
| 250+ | $0.223 |
| 500+ | $0.208 |
| 1000+ | $0.186 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.204 |
| 6000+ | $0.200 |
| 12000+ | $0.182 |
| 18000+ | $0.180 |
| 30000+ | $0.178 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN360P
No. Parte Newark
Hilado completo87X5244
Cinta adhesiva58K1466
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.08ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd500mW
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente20V
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDN360P es un MOSFET PowerTrench PowerTrench de un solo canal P de montaje en superficie en paquete superSOT-23. El proceso PowerTrench se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es muy adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para Rds (ON) extremadamente bajos
- Carga de puerta baja típicamente 6.2nC
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -30V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Corriente de drenaje continua (Id) de -2A a 25°C
- Disipación de potencia (Pd) de 500mW
- Baja resistencia estado encendido de 100mohm a Vgs -4.5V
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
20V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.08ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDN360P
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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